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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1610
3238
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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