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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2201
2419
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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