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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
39
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2201
3814
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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