RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2489
2256
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-466.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link