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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparar
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
52
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2472
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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