Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Pontuação geral
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    59 left arrow 75
    Por volta de -27% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,325.7 left arrow 2,036.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) 99P5316-014.A00LF 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    75 left arrow 59
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,986.4 left arrow 4,940.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,036.1 left arrow 2,325.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    714 left arrow 772
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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