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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparar
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2123
3649
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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