RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Comparar
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1917
2725
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link