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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparar
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Pontuação geral
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
40
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
17
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
16.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
3550
Kingston KVT8FP-HYC 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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