RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2457
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Lenovo 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link