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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
43
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2422
3170
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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