Comparação RAM Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

40 42

Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.2 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.4 8.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

12800 10600

Por volta de 1.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2142 2187

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns