RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Comparar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.7
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2504
2386
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link