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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
42
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2352
2352
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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