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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1959
3164
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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