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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2417
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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