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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
68
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2007
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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