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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
51
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
51
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2359
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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