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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
92
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
56
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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