RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2075
1511
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link