RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
71
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
7.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2220
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link