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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
35
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3227
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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