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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
30
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
3090
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparações de RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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