RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Comparar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2270
3199
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link