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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2345
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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