Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 29

Por volta de 7% menor latência

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

16.9 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns