RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
27
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
19.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
4293
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link