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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2041
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB Comparações de RAM
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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