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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3528
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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