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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2404
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
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