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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
60
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
2.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
60
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
2.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2753
1505
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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