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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
39
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.9
11.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2608
2264
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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