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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3353
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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