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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3561
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
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