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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3247
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
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