RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
59
Por volta de -59% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3171
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link