RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2866
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link