RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
59
Por volta de -228% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3778
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link