RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
59
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
6.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1512
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link