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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
59
Por volta de -74% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2800
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
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