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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
69
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2699
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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