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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
69
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
7.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2104
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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