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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
69
71
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1767
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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