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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 13.7
    Valor médio nos testes
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Razões a considerar
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 58
    Por volta de -107% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.8 left arrow 1,950.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,241.0 left arrow 13.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,950.7 left arrow 6.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    651 left arrow 2128

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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