RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
58
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2601
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link