RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
58
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3587
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link