RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3694
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link