RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link