RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
46
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2481
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link