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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
40
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
40
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1773
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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